大功率静止同步补偿装置IGBT模块吸收保护电路参数的多目标优化设计MULTI-OBJECTIVE OPTIMAL DESIGN OF IGBT SNUBBER CIRCUIT PARAMETERS FOR HIGH POWER STATCOM
李正国,罗安,马国喜
摘要(Abstract)：
文章针对目前大功率静止同步补偿(STATCOM)装置IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模块吸收保护电路参数设计中存在的一些问题,对吸收保护电路参数选优问题进行了数学描述,提出了一种采用并行自校正多目标遗传算法来进行大功率STATCOM装置吸收保护电路参数的选型。该算法通过并行进化多种群来确保种群的优良性能和进化的收敛速度,并能够自适应调整遗传交叉概率和变异概率来避免种群的早熟现象,采用阈值制约适应度函数及以不同概率进行的染色体选择操作,可使种群朝多个目标最佳协调点的方向进化,从而得到多目标最优解。应用实例表明采用该方法设计的吸收电路具有较高的工程应用价值。
关键词(KeyWords)： 静止同步补偿装置(STATCOM);吸收电路;并行自校正多目标遗传算法;电力系统
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作者(Author): 李正国,罗安,马国喜
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DOI: 10.13335/j.1000-3673.pst.2004.13.009
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