电网技术

2011, v.35;No.328(03) 8-13

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特高压直流碳化硅晶闸管阀损耗探讨
Discussion on Power Loss of HVDC Converter Valves Adopting Silicon Carbide Thyristors

金锐;雷林绪;温家良;邱宇峰;

摘要(Abstract):

碳化硅是发展最为成熟的新型宽禁带半导体材料,且碳化硅功率器件近期已开始代替常规的硅基器件。以典型的±800 kV,额定电流为5 kA的高压直流输电工程为实例,建立了换流阀基本组件的电气模型,用PSCAD/EMTDC仿真软件搭建了换流器仿真电路,研究碳化硅晶闸管在高压直流换流阀中的应用。对基于碳化硅晶闸管和普通硅晶闸管的直流换流阀电气特性和损耗进行仿真结果比较。计算结果表明:用碳化硅晶闸管来代替传统的硅晶闸管,可以在不同的触发角和工况下大幅减少系统的功率损耗。最后估算了在直流工程中使用碳化硅晶闸管阀带来的经济效益。

关键词(KeyWords): 特高压直流输电;晶闸管换流阀;碳化硅;功率损耗;结温

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家电网公司科技项目(ZL71-09-001)~~

作者(Author): 金锐;雷林绪;温家良;邱宇峰;

Email:

DOI: 10.13335/j.1000-3673.pst.2011.03.012

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