电网技术

2020, v.44;No.445(12) 4845-4852

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

一种具有延伸浮空P基区结构的CSTBT器件特性分析及关键参数优化
Characteristics and Key Parameters Optimization of Carrier Enhanced EFP CSTBT

孙海峰;蔡江;张红玉;

摘要(Abstract):

随着功率半导体器件的不断发展和广泛应用,绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)的优越性能使其成为高压直流、光伏逆变等领域最理想的开关器件。如何在降低IGBT通态压降、工作损耗、开关损耗的同时提高器件阻断电压,提升器件工作效率,对环境保护和节能减排具有重要意义。对浮空P基区沟槽栅型双极晶体管(floating p-base carrier stored trench-gate bipolar transistor,FP CSTBT)的P基区进行了延伸,提出了一种具有延伸浮空P基区结构的CSTBT (extend FP CSTBT,EFP CSTBT)。该结构采用精细化沟槽栅、场截止层和电子注入增强等技术降低器件的导通压降,从而提升器件的阻断电压。在相同参数条件下,将EFP CSTBT与传统的CSTBT和FP CSTBT的性能进行了对比分析,结果表明新器件具有更高的阻断电压。分别对FP CSTBT的P基区的掺杂浓度和深度、N型CS层掺杂浓度和厚度、虚拟栅极深度等关键参数进行了仿真与分析,获得了最佳参数。结果表明,EFP CSTBT的通态压降和工作损耗低于CSTBT,阻断电压高于CSTBT和FPCSTBT,有良好的静态特性,具有较好的应用推广价值。

关键词(KeyWords): IGBT;延伸浮空P基区;阻断电压;通态压降;工作损耗;关键参数

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 孙海峰;蔡江;张红玉;

Email:

DOI: 10.13335/j.1000-3673.pst.2020.0080a

参考文献(References):

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享